用于对存储器单元进行编程的系统和方法

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用于对存储器单元进行编程的系统和方法

时间:2019-11-26本站浏览次数:299

       

用于对存储器单元进行编程的系统和方法

一种方法包括在包括交叠区域和沟道区域的半导体晶体管结构处创建击穿状况。该击穿状况通过以下操作来创建:使半导体晶体管结构的栅极与交叠区域之间的第一电压差超过该半导体晶体管结构的击穿电压,而同时将此栅极与沟道区域之间的第二电压差维持在小于该击穿电压。

⑶SII文件926可在制造过程928处接收以根据⑶SII文件926中经转换信息来制造半导体器件,该半导体器件包括图1的半导体晶体管结构100、图1的半导体晶体管结构100的组件、图2的电路200、图2的电路200的组件、图3的半导体晶体管结构202、图3的半导体晶体管结构202的组件、图4的电路400、图4的电路400的组件、图5的半导体晶体管结构402、图5的半导体晶体管结构402的组件、或其任何组合。例如,设备制造过程可包括将GDSII文件926提供给掩模制造商930以创建一个或多个掩模,诸如用于与光刻处理联用的掩模,其被解说为代表性掩模932。掩模932可在制造过程期间被用于生成一个或多个晶片934,晶片934可被测试并被分成管芯,诸如代表性管芯936。管芯936包括电路,该电路包括图1的半导体晶体管结构100、图1的半导体晶体管结构100的组件、图2的电路200、图2的电路200的组件、图3的半导体晶体管结构202、图3的半导体晶体管结构202的组件、图4的电路400、图4的电路400的组件、图5的半导体晶体管结构402、图5的半导体晶体管结构402的组件、或其任何组合。

GERBER文件952可在板组装过程954处被接收并且被用于创建PCB,诸如根据GERBER文件952内存储的设计信息来制造的代表性PCB956。例如,GERBER文件952可被上传到一个或多个机器以执行PCB生产过程的各个步骤。PCB956可填充有电子组件(包括封装940)以形成代表性印刷电路组装件(PCA)958。

上文公开的设备和功能性可被设计和配置在存储于计算机可读介质上的计算机文件(例如,RTL、⑶SI1、GERBER等)中。一些或全部此类文件可被提供给基于此类文件来制造设备的制造处理人员。结果产生的产品包括半导体晶片,其随后被切割为半导体管芯并被封装成半导体芯片。这些芯片随后被用在以上描述的设备中。图9描绘了电子设备制造过程900的特定解说性实施例。

在604处,半导体晶体管结构的栅极与沟道区域之间的第二电压差可以被维持在小于击穿电压。例如,在图1的第一特定实施例中,可以通过经由阱线(诸如图2的阱线234)向阱112施加阱电压来将栅极106与阱112(S卩,沟道区域)之间的第二电压差维持在小于击穿电压。阱电压可以大致等于栅极电压(例如,阱电压和栅极电压可以大致等于接地)。因此,第二电压差(例如,大致为O伏)可以小于半导体晶体管结构100的击穿电压。

该方法包括在602处使半导体晶体管结构的栅极与半导体晶体管结构的交叠区域之间的第一电压差超过击穿电压。例如,在图1的第一特定实施例中,可以经由第一字线130向栅极106施加栅极电压,并且可以经由流经存取晶体管(诸如图2的存取晶体管204)的电流131来向交叠区域108a施加编程电压。经由电流131施加的编程电压可以大于经由第一字线施加的栅极电压,因此在栅极106与交叠区域108a之间创建超过半导体晶体管结构100的击穿电压的第一电压差。第一电压差可以创建栅极106与交叠区域108a之间的击穿状况124。

在替换实施例中,可以通过使第一栅极406与第一源极410之间的电压差超过击穿电压来在半导体晶体管结构402的第一源极410处创建击穿状况。在这一特定实施例中,造成电压差可以包括向第一栅极406施加系统编程电压(Vp)并且经由耦合至第一源极410的存取晶体管向第一源极410而不是向第一漏极408或第一沟道区域412施加存取晶体管的阈值电压(Vt)。

将领会,图6的方法600可以在图1的半导体晶体管100的栅极106与交叠区域108a之间创建击穿状况124。在交叠区域108a处创建击穿状况可以防止在读操作期间使源极/漏极区域108过应力。例如,与击穿状况124在栅极106与阱112(S卩,沟道区域)之间的情况相比,当击穿状况124在栅极106与交叠区域108a之间时可以向半导体晶体管结构100施加较低读电压以读取所存储的逻辑值。较低读电压可以减少源极/漏极区域108a上的过应力并且可以改善OTP器件可靠性。还将领会,与较大读电压相比,较低读电压可以降低功耗。

作为另一示例,在图1的第二特定实施例中,可以通过经由阱线(诸如图4的阱线434)向阱112施加阱电压来将栅极106与阱112之间的第二电压差维持在小于击穿电压。阱电压可以大致等于系统供电电压(Vdd),并且如以上关于图1的第二特定实施例所解释的,施加于栅极106的编程电压可以大致等于系统编程电压(Vp)。第二电压差(例如,Vp-Vdd)可以小于半导体晶体管结构100的击穿电压。

关于封装940的信息可诸如经由存储在计算机946处的组件库被分发给各产品设计者。计算机946可包括耦合至存储器948的处理器950,诸如一个或多个处理核。印刷电路板(PCB)工具可作为处理器可执行指令被存储在存储器950处以处理经由用户接口944从计算机946的用户接收的PCB设计信息942。PCB设计信息942可以包括经封装半导体器件在电路板上的物理定位信息,该经封装半导体器件对应于包括器件的封装940,该器件包括图1的半导体晶体管结构100、图1的半导体晶体管结构100的组件、图2的电路200、图2的电路200的组件、图3的半导体晶体管结构202、图3的半导体晶体管结构202的组件、图4的电路400、图4的电路400的组件、图5的半导体晶体管结构402、图5的半导体晶体管结构402的组件、或其任何组合。




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